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DDR4 -从DDR3迁移的优势
DDR4是DRAM的下一个演进, 为企业带来更高的性能和更强大的控制功能，同时提高能源经济性, micro-server, 平板电脑, 以及超薄客户机应用程序. 下表比较了DDR3和DDR4之间的一些关键特性差异.
| 特性/选项 | DDR3 | DDR4 | DDR4优势 |
|---|---|---|---|
| 电压(核心和I/O) | 1.5V | 1.2V | 降低内存功耗需求 |
| VREF输入 | dq和CMD/ADDR | 1 - cmd / addr . conf | VREFDQ现在是内部的 |
| 低压标准 | 是的(DDR3L在1.35V) | No | 内存功耗降低 |
| 数据速率(Mb/s) | 800, 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 | 1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 3200 | 迁移到更高速度的I/O |
| 密度 | 512年mb-8gb | 2 gb-16gb | 更好地支持大容量内存子系统 |
| 内部银行 | 8 | 16 | 更多的银行 |
| 银行集团(BG) | 0 | 4 | 更快的突发访问 |
| tCK - DLL启用 | 300mhz ~ 800mhz | 667mhz ~ 1.6 GHz | 更高的数据速率 |
| t CK - DLL被禁用 | 10mhz ~ 125mhz(可选) | 未定义至125 MHz | 现在完全支持DLL-off |
| 读延迟 | Al + cl | Al + cl | 扩大值 |
| 写延迟 | Al + CWL | Al + CWL | 扩大值 |
| DQ驱动(ALT) | 40Ω | 48Ω | 针对点对点应用程序进行了优化 |
| DQ总线 | SSTL15 | POD12 | 降低I/O噪声和功耗 |
| RTT值(在Ω中) | 120, 60, 40, 30, 20 | 240, 120, 80, 60, 48, 40, 34 | 支持更高的数据速率 |
| 不允许RTT | 读破裂 | 在READ爆发期间禁用 | 易用性 |
| ODT模式 | 名义,动态 | 名义上，动态，公园 | Additional control mode; supports OTF value change |
| ODT控制 | 需要ODT信令 | 不需要ODT信令 | 易于ODT控制，允许在PtP应用程序上进行非ODT路由 |
| 多用途寄存器 | 四个寄存器- 1个定义，3个RFU | 四个寄存器- 3个定义，1个RFU | 提供额外的专业读数 |
