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下一阶段的存储性能和密度为新一波的端到端技术创新.
美光凭借232层NAND扩展了3D NAND技术的领先地位.
拥有业界最快的NAND I/O速度2.4 GB / s, 美光的232层NAND可满足以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量要求, 比如人工智能, 非结构化数据库, 实时分析, 云计算.1
世界上密度最大的NAND为客户提供了设计灵活性，同时实现了每平方毫米最高的TLC密度(14).6 Gb /毫米2. 面密度比竞争沙巴体育结算平台高35% ~ 100%.2
更大的存储容量-每个芯片高达1tb，每个封装高达2tb, 允许增加层堆叠-在更多设备中提供更多存储, 这使得智能, 更多功能的各种设备, 从边缘到云端.
NAND对于满足不断增长的高性能需求至关重要, 响应式存储——从大型数据中心到最小的设备. 美光凭借下一代232层NAND技术扩展了NAND的领导地位，该技术可实现更快的存储速度, 更高容量的存储解决方案.
美光在2020年宣布推出首款176层3D NAND，确立了NAND技术的领先地位. 美光凭借下一代232层NAND技术的可用性和商业化发展扩展了这一领先地位.
提供更密集的存储和NAND设计创新，为从边缘到云的使用提供了新的性能和密度水平.
美光CVP和GM, 杰里米·沃纳, Pure 存储副总裁兼总经理, 比尔Cerreta, 与行业分析师坐下来交谈, 运算, 来谈谈美光公司的新232层NAND芯片. 他们讨论了层和密度哪个更重要, NAND如何帮助解决日益增长的存储需求, 以及232层NAND的一些用例.
轻薄的移动笔记本电脑设计必须平衡对峰值性能的需求, 持久的电池寿命和圆滑的外形选择. 由于包装尺寸比前几代减少了28%, 美光232层NAND客户在使用thin时不必为了移动性和便携性而牺牲存储容量, 轻的笔记本电脑.
美光的先进制程技术使NAND闪存创新成为可能，为空间受限和功耗敏感的移动终端用户设备优化移动存储解决方案铺平了道路. 美光232层NAND允许低功耗应用在用户多任务时提供无缝体验, 下载或访问他们喜欢的内容.
美光拥有完整的内存和存储技术组合，可为各种行业创建“更智能”的物联网(IoT)设备. 我们可以为任何工业物联网应用提供合适的内存和存储技术, 具有广泛的形式因素, 权力, 表演。, 容量和生命周期选项.
美光的232层NAND为数据中心提供了高性能, 高容量, 高密度存储，比上一代NAND提高了每比特的能量效率. 对于数据中心运营商来说，这些都是关键的进步，因为他们必须在满足电力需求的同时平衡不断增长的数据量, 房地产和可持续发展倡议.
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1NAND I/O速度为1.市场推出时为6gb /s.
2基于公告时NAND目前出货的比较
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